SSM5H90ATU,LF

Número de pieza del fabricante:	SSM5H90ATU,LF
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
Hojas de datos:	SSM5H90ATU,LF Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	65mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.2 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	UFV
Paquete / Estuche	5-SMD, Flat Leads

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 6000

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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