SSM5G10TU(TE85L,F)

Número de pieza del fabricante:	SSM5G10TU(TE85L,F)
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Hojas de datos:	SSM5G10TU(TE85L,F) Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSIII
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	213mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.4 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 10 V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de energía (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	UFV
Paquete / Estuche	6-SMD (5 Leads), Flat Lead

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2666

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
El precio no está disponible, por favor RFQ

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