SSM5N15FU,LF

Número de pieza del fabricante:	SSM5N15FU,LF
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 30V 100MA USV
Hojas de datos:	SSM5N15FU,LF Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	π-MOSVI
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100mA (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.8 pF @ 3 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	USV
Paquete / Estuche	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

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