CSD87335Q3DT

Número de pieza del fabricante:	CSD87335Q3DT
Fabricante:	Texas Instruments
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 30V 25A
Hojas de datos:	CSD87335Q3DT Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	NexFET™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.9V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V
Potencia - Max	6W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-PowerLDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-LSON (3.3x3.3)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 218

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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