CSD85312Q3E

Número de pieza del fabricante:	CSD85312Q3E
Fabricante:	Texas Instruments
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Hojas de datos:	CSD85312Q3E Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	NexFET™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	39A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potencia - Max	2.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-VSON (3.3x3.3)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 3607

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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