IPB530N15N3GATMA1

Número de pieza del fabricante:	IPB530N15N3GATMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Hojas de datos:	IPB530N15N3GATMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	8V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	53mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 35µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 75 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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