IPB50R199CPATMA1

Número de pieza del fabricante:	IPB50R199CPATMA1
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Hojas de datos:	IPB50R199CPATMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	CoolMOS™
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	550 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3.5V @ 660µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1.8 pF @ 100 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 440

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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