NTE455

Número de pieza del fabricante:	NTE455
Fabricante:	NTE Electronics, Inc.
Parte de la descripción:	MOSFET-DUAL GATE N-CH
Hojas de datos:	NTE455 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bag
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25mA
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3.5 pF @ 10 V
Característica FET	Standard
Disipación de energía (máx.)	200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / Estuche	SOT-103

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 404

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

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Llegue en 3-5 días

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