NTE4151PT1G

Número de pieza del fabricante:	NTE4151PT1G
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Hojas de datos:	NTE4151PT1G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	760mA (Tj)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	156 pF @ 5 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	313mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-89-3
Paquete / Estuche	SC-89, SOT-490

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2210

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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