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Conectores, interconexiones
Rochester Electronics / NTD3808N-1G
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NTD3808N-1G
| Número de pieza del fabricante: | NTD3808N-1G |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK |
| Hojas de datos: | NTD3808N-1G Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Rochester Electronics # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 16 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 76A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1.66 pF @ 12 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK |
| Paquete / Estuche | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
OPCIONES DE COMPRA
Estado del inventario: 7275
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
US $ 40 por FedEx.
Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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