NTD3817N-1G

Número de pieza del fabricante:	NTD3817N-1G
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Hojas de datos:	NTD3817N-1G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	16 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	702 pF @ 12 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / Estuche	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 14400

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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