SI8472DB-T2-E1

Número de pieza del fabricante:	SI8472DB-T2-E1
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Hojas de datos:	SI8472DB-T2-E1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.3A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	630 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	780mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	4-Micro Foot (1x1)
Paquete / Estuche	4-UFBGA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 10046

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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