SI8487DB-T1-E1

Número de pieza del fabricante:	SI8487DB-T1-E1
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Hojas de datos:	SI8487DB-T1-E1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.9A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	4-Microfoot
Paquete / Estuche	4-UFBGA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2614

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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