IPB049N06L3G

Número de pieza del fabricante:	IPB049N06L3G
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Hojas de datos:	IPB049N06L3G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	*
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / Estuche	-

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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