IR (Infineon Technologies) / IPB042N10N3GE8187ATMA1
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IPB042N10N3GE8187ATMA1
| Número de pieza del fabricante: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
| Hojas de datos: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 6V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 214W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / Estuche | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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