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Conectores, interconexiones
Vishay / Siliconix / SI3459BDV-T1-E3
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SI3459BDV-T1-E3
| Número de pieza del fabricante: | SI3459BDV-T1-E3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte de la descripción: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP |
| Hojas de datos: | SI3459BDV-T1-E3 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Vishay / Siliconix # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 3.3W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Paquete / Estuche | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
OPCIONES DE COMPRA
Estado del inventario: 593
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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