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Vishay / Siliconix / SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3

Número de pieza del fabricante: SI3467DV-T1-GE3
Fabricante: Vishay / Siliconix
Parte de la descripción: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP
Hojas de datos: SI3467DV-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieTrenchFET®
PaqueteTape & Reel (TR)
Estado de la piezaActive
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C3.8A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs54mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)1.14W (Ta)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor6-TSOP
Paquete / EstucheSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

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