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Número de pieza del fabricante: | APTMC120HR11CT3AG |
Fabricante: | Roving Networks / Microchip Technology |
Parte de la descripción: | POWER MODULE - SIC MOSFET |
Hojas de datos: | APTMC120HR11CT3AG Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | * |
Paquete | Bulk |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Tc) |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 3V @ 5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
Potencia - Max | 125W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Estuche | Module |
Paquete de dispositivo del proveedor | SP3 |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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