APTSM120AM25CT3AG

Número de pieza del fabricante:	APTSM120AM25CT3AG
Fabricante:	Microsemi
Parte de la descripción:	POWER MODULE - SIC
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	148A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	544nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 1000V
Potencia - Max	937W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Estuche	SP3
Paquete de dispositivo del proveedor	SP3

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