CPH6616-TL-E

Número de pieza del fabricante:	CPH6616-TL-E
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	N-CHANNEL SILICON MOSFET
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	187pF @ 10V
Potencia - Max	900mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor	6-CPH

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 1135

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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