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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDC6301N_G

FDC6301N_G

Número de pieza del fabricante: FDC6301N_G
Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción: MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteTape & Reel (TR)
Estado de la piezaObsolete
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C220mA
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Potencia - Max700mW
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / EstucheSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedorSuperSOT™-6
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Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

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