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Renesas Electronics America / RJM0603JSC-00#13

RJM0603JSC-00#13

Número de pieza del fabricante: RJM0603JSC-00#13
Fabricante: Renesas Electronics America
Parte de la descripción: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieAutomotive, AEC-Q101
Paquete-
Estado de la piezaObsolete
Tipo de FET3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C20A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 10V
Potencia - Max54W
Temperatura de funcionamiento175°C
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Estuche20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor20-HSOP
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Estado del inventario: Envío el mismo día

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