LN100LA-G

Número de pieza del fabricante:	LN100LA-G
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 1200V
Hojas de datos:	LN100LA-G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Cascoded)
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.6V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Potencia - Max	350mW
Temperatura de funcionamiento	-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-VFLGA
Paquete de dispositivo del proveedor	6-LFGA (3x3)

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