QJD1210011

Número de pieza del fabricante:	QJD1210011
Fabricante:	Powerex, Inc.
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Hojas de datos:	QJD1210011 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Potencia - Max	900W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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