TRS4E65F,S1Q

Número de pieza del fabricante:	TRS4E65F,S1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	650 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	4A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 4 A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	0 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	20 µA @ 650 V
Capacitancia @ Vr, F	16pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento: empalme	175°C (Max)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 190

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	TRS4A65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS4E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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