GE08MPS06E

Número de pieza del fabricante:	GE08MPS06E
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Hojas de datos:	GE08MPS06E Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	-
Corriente - Rectificado promedio (Io)	21A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	-
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	-
Corriente: fuga inversa a Vr	-
Capacitancia @ Vr, F	373pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-2
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 175°C

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2500

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor
	GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor

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