BSM300C12P3E201

Número de pieza del fabricante:	BSM300C12P3E201
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Hojas de datos:	BSM300C12P3E201 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5.6V @ 80mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Paquete / Estuche	Module

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 4

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
	BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

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