Microsemi / APTM100DA18CT1G
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APTM100DA18CT1G
| Número de pieza del fabricante: | APTM100DA18CT1G |
| Fabricante: | Microsemi |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Paquete | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 570 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 657W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Paquete / Estuche | SP1 |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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