2N7640-GA

Número de pieza del fabricante:	2N7640-GA
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	TRANS SJT 650V 16A TO276
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16A (Tc) (155°C)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 16A
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1534 pF @ 35 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-276
Paquete / Estuche	TO-276AA

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