G3R45MT17K

Número de pieza del fabricante:	G3R45MT17K
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Hojas de datos:	G3R45MT17K Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificación

Escribe	Descripción
Serie	G3R™
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	61A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	15V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	58mOhm @ 40A, 15V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.7V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	182 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4523 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	438W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Estuche	TO-247-4

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