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Conectores, interconexiones
Microsemi / APT80SM120B
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APT80SM120B
| Número de pieza del fabricante: | APT80SM120B |
| Fabricante: | Microsemi |
| Parte de la descripción: | SICFET N-CH 1200V 80A TO247 |
| Hojas de datos: | APT80SM120B Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Microsemi # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 20V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Vgs (máx.) | +25V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 555W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete / Estuche | TO-247-3 |
OPCIONES DE COMPRA
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Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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El precio no está disponible, por favor RFQ |
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