MT54V512H18EF-10

Número de pieza del fabricante:	MT54V512H18EF-10
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	QDR™
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	SRAM
Tecnología	SRAM - Quad Port, Synchronous
Tamaño de la memoria	9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria	Parallel
Frecuencia de reloj	100 MHz
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
Suministro de voltaje	2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	165-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	165-FBGA (13x15)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 147

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

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