IS43DR86400E-3DBLI

Número de pieza del fabricante:	IS43DR86400E-3DBLI
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Parte de la descripción:	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Hojas de datos:	IS43DR86400E-3DBLI Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tray
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria	512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria	Parallel
Frecuencia de reloj	333 MHz
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página	15ns
Tiempo de acceso	450 ns
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	60-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	60-TWBGA (8x10.5)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 344

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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