IDT70P3337S250RM

Número de pieza del fabricante:	IDT70P3337S250RM
Fabricante:	Renesas Electronics America
Parte de la descripción:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
Hojas de datos:	IDT70P3337S250RM Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tray
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	SRAM
Tecnología	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Tamaño de la memoria	9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria	Parallel
Frecuencia de reloj	250 MHz
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página	-
Tiempo de acceso	6.3 ns
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	576-BBGA, FCBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	576-FCBGA (25x25)

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Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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