BS2101F-E2

Número de pieza del fabricante:	BS2101F-E2
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
Hojas de datos:	BS2101F-E2 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Configuración impulsada	High-Side or Low-Side
Tipo de canal	Synchronous
Número de conductores	2
Tipo de puerta	IGBT, N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje	10V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH	1V, 2.6V
Corriente: salida máxima (fuente, sumidero)	60mA, 130mA
Tipo de entrada	Non-Inverting
Voltaje de lado alto - Máx. (Bootstrap)	600 V
Tiempo de subida / bajada (tipo)	60ns, 20ns
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2329

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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