NXH50C120L2C2ESG

Número de pieza del fabricante:	NXH50C120L2C2ESG
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	Three Phase Inverter with Brake
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Max)	50 A
Potencia - Max	20 mW
Vce (encendido) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 50A
Corriente: corte del colector (máx.)	250 µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	11.897 nF @ 20 V
Aporte	Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC	Yes
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Paquete de dispositivo del proveedor	26-DIP

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	NXH50C120L2C2ESG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH50C120L2C2ES1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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