EPC2101

Número de pieza del fabricante:	EPC2101
Fabricante:	EPC
Parte de la descripción:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Hojas de datos:	EPC2101 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	eGaN®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.5A, 38A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Potencia - Max	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	Die
Paquete de dispositivo del proveedor	Die

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 714

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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