NTE2960

Número de pieza del fabricante:	NTE2960
Fabricante:	NTE Electronics, Inc.
Parte de la descripción:	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Hojas de datos:	NTE2960 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bag
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 25V
Potencia - Max	40W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220 Full Pack

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 116

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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