SIZ914DT-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SIZ914DT-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Hojas de datos:	SIZ914DT-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16A, 40A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1208pF @ 15V
Potencia - Max	22.7W, 100W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PowerPair®

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