PMGD175XNEAX

Número de pieza del fabricante:	PMGD175XNEAX
Fabricante:	Nexperia
Parte de la descripción:	MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
Hojas de datos:	PMGD175XNEAX Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	900mA (Ta)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.65nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	81pF @ 15V
Potencia - Max	390mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSSOP

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