CSD75207W15

Número de pieza del fabricante:	CSD75207W15
Fabricante:	Texas Instruments
Parte de la descripción:	MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Hojas de datos:	CSD75207W15 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	NexFET™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual) Common Source
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.9A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	162mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	595pF @ 10V
Potencia - Max	700mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	9-UFBGA, DSBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	9-DSBGA

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