US6J11TR

Número de pieza del fabricante:	US6J11TR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Hojas de datos:	US6J11TR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.3A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Potencia - Max	320mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor	TUMT6

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 661

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	US6J2TR ROHM Semiconductor
	US6J11TR ROHM Semiconductor

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