FDR8305N

Número de pieza del fabricante:	FDR8305N
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Hojas de datos:	FDR8305N Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerTrench®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Potencia - Max	800mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	SuperSOT™-8

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Modelos populares

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	FDR8305N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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