DN2625DK6-G

Número de pieza del fabricante:	DN2625DK6-G
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Hojas de datos:	DN2625DK6-G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tray
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Depletion Mode
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.1A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V
Potencia - Max	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	8-DFN (5x5)

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