BSM300D12P2E001

Número de pieza del fabricante:	BSM300D12P2E001
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Hojas de datos:	BSM300D12P2E001 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tray
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 68mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	35000pF @ 10V
Potencia - Max	1875W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 7

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

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