US6M2TR

Número de pieza del fabricante:	US6M2TR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Hojas de datos:	US6M2TR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V, 20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A, 1A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V
Potencia - Max	1W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor	TUMT6

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 23740

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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