HAT1126RWS-E

Número de pieza del fabricante:	HAT1126RWS-E
Fabricante:	Renesas Electronics America
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH SOP8
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 10V
Potencia - Max	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP

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Modelos populares

	HAT1126RWS-E Renesas Electronics America
	HAT1095C-EL-E Rochester Electronics

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