NTLGD3502NT1G

Número de pieza del fabricante:	NTLGD3502NT1G
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Hojas de datos:	NTLGD3502NT1G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A, 3.6A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Potencia - Max	1.74W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	6-DFN (3x3)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 14990

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	NTLGD3502NT1G Rochester Electronics
	NTLGD3502NT2G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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