SQ4961EY-T1_GE3

Número de pieza del fabricante:	SQ4961EY-T1_GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Hojas de datos:	SQ4961EY-T1_GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.4A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 25V
Potencia - Max	3.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 628

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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