BSZ215CHXTMA1

Número de pieza del fabricante:	BSZ215CHXTMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:	MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Hojas de datos:	BSZ215CHXTMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel Complementary
Característica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.1A, 3.2A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.4V @ 110µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
Potencia - Max	2.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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	BSZ215CHXTMA1 IR (Infineon Technologies)

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